Отказ TSMC от High-NA EUV: Low-NA остаётся сильной, клиентская база ASML смещается в сторону Южной Кореи

Одним из наиболее пристально отслеживаемых вопросов в сфере полупроводникового оборудования стало заявление TSMC о том, что компания не планирует внедрять системы High-NA EUV для своего узла A13, запланированного примерно на 2029 год. Это решение вызвало дискуссии о том, повлияет ли оно на траекторию будущего роста ASML и в какой степени.

Даже для лидера контрактного производства микросхем, прогнозирующего капитальные расходы до 560 миллиардов долларов в 2026 году, системы High-NA EUV от ASML по-прежнему считаются дорогими. Стоимость одной установки составляет около 400 миллионов долларов, что примерно вдвое дороже систем EUV текущего поколения. Это соображение становится более значимым по мере ускорения TSMC расширения мощностей на новых заводах в США, Японии и других зарубежных площадках.

Решение TSMC отложить внедрение High-NA EUV отражает общую стратегию расширения возможностей существующих инструментов Low-NA EUV. Кевин Чжан, заместитель главного операционного директора и старший вице-президент TSMC, сообщил Reuters, что исследования и разработки компании были "исключительно эффективны" в расширении текущих возможностей EUV при сохранении агрессивного плана по масштабированию.

В рамках этой стратегии TSMC расширила свою дорожную карту для узлов 1–2 нм, представив несколько вариаций, предназначенных для повышения эффективности без перехода на литографию следующего поколения. Среди них узлы класса A12 (1.2 нм) и A13 (1.3 нм), а также неожиданное расширение семейства N2 под маркировкой N2U на период 2028–2029 годов.

TSMC отметила, что A13 получен из A14 путём оптического сжатия, обеспечивая сокращение площади кристалла примерно на 6% при полной совместимости по правилам проектирования и электрическим параметрам, что позволяет клиентам обновляться с минимальными усилиями по перепроектированию. Это также позволяет напрямую повторно использовать существующее IP.

Low-NA EUV с мультипаттернингом (многократным экспонированием) остаётся достаточным для ближайшей дорожной карты TSMC. Таким образом, гигант контрактного производства, поддерживаемый высоким спросом на его 3-нм и 2-нм технологии, не спешит с внедрением High-NA EUV, предпочитая отслеживать переход у других производителей. Клиенты ASML, включая Intel и SK hynix, уже готовятся к внедрению систем High-NA EUV уже в 2027 году для логических микросхем следующего поколения для ИИ и чипов высокопропускной памяти HBM.

ASML наблюдает сильный спрос на Low-NA EUV. Финансовый директор компании указал, что ASML планирует поставить не менее 60 систем Low-NA EUV в 2026 году с дальнейшим увеличением до примерно 80 в 2027 году. В первом квартале 2026 года продажи систем EUV составили более 4.1 миллиарда евро, включая выручку от двух установок High-NA. Это означает, что основная часть выручки ASML от EUV по-прежнему приходится на системы Low-NA.

Помимо литографии, ASML нацеливается на расширение в сфере передовой упаковки. По данным The Elec, компания, как полагают, продвигает оборудование для гибридной бондинга "пластина-к-пластине" (W2W hybrid bonding). Ожидания отрасли указывают на то, что Samsung и SK hynix могут внедрить гибридную бондингу уже в HBM5, что может открыть для ASML новый долгосрочный драйвер роста.

Клиентская база ASML постепенно смещается. Доля TSMC в глобально установленной базе EUV выросла с 50% в 2020 году до 56% в 2023 году. Однако на фоне значительного увеличения капитальных расходов производителями памяти для поддержки цикла HBM на базе ИИ эта картина меняется. Доля Южной Кореи в продажах ASML выросла с 22% в четвёртом квартале 2025 года до 45% в первом квартале 2026 года. Samsung также расширяет свои литографические мощности, заказывая около 20 систем EUV у ASML для передовых технологических процессов с нормами менее 10 нм.
 
Назад
Сверху